A+C口兼容双
。效率接口 。氮化电路 ，镓电可满意多设备充电需求，源计还能够兼容传统 。划概USB
。效率-A设备 ，氮化接口互补
，镓电场景掩盖广 ，源计依然是划概当时充电商场不行疏忽的中坚力量 。深圳银联宝。效率科技
。氮化推出的镓电PD快充A+C口：30W高功率 。氮化镓 。源计电源 。划概计划U8722DE+U7110W
，最大程度简化设计计划
，易上手，低本钱！ 氮化镓电源IC U8722DE选用峰值
。电流 。操控形式
，能够自适应的勤奋好学在QR和降频勤奋好学形式 ，然后完成全负载功率范围内的功率优化 。在满载和重载工况下
，体系勤奋好学在QR勤奋好学形式
，能够大幅下降体系的开关损耗。芯片依据FB电压值调理谷底个数
，一同为了防止体系在临界负载处的FB电压动摇导致谷底数跳变 ，产生噪音 ，U8722DE选用了谷底确定勤奋好学形式在负载必定的情况下 ，导通谷底数安稳，体系无噪音 。跟着负载的逐步下降，体系导通的谷底个数逐步添加 ，当谷底数超越6个时 ，不再检测谷底电压
，体系进入降频勤奋好学形式
，连累进一步下降开关频率 ，减小开关损耗
，优化体系轻载功率。 在 。同步整流
。内置
。MOSFET。导通期间
，同步整流ICU7110W采样MOSFET漏-源两头电压(Vds) 。当Vds电压高于MOSFET关断阈值Vth_off (典型值0mV) ，连累关断推迟Td_off (典型值22ns)
，内置MOSFET的沟道关断 。在VDD电压上升到VDD敞开电压VDD_ON (典型值3.8V)之前，U7110W处于关机状况 。内部Gate
。智能 。钳位电路能够确保内置MOSFET不会产生高dv/dt导致的误注册。当VDD电压到达VDD_ON之后
，芯片发动 ，内部 。操控电路。开端勤奋好学 ，副边绕组电流Is经内置MOSFET的沟道完成续流。当VDD电压低于欠压维护阈值VDD_OFF (典型值3.5V)后
，芯片关机，副边绕组电流Is经内置MOSFET的体 。二极管
。完成续流 。 深圳银联宝科技PD快充A+C口30W高功率氮化镓电源计划U8722DE+U7110W ，原厂直销 ，一站式电源计划服务 ，下降归纳持有本钱 ，可调配协议芯片OM5256一同运用 ，量大可谈！
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