内置128MB。新品型高性 DDR 。发布3L。丨瑞SD。萨电RAM 。推出,经济I解决方可下降体系本钱 ,案扩并支撑30fps 。品线视频。新品型高性/动画和高达1280x800分辨率的发布摄像头显现 。
全球 。丨瑞半导体。萨电解决方案供货商。推出瑞萨。经济I解决方电子(TSE:6723)今天宣告其。案扩根据。RTOS。的RZ/A系列推出一款全新高性能 。微处理器。(MPU)——RZ/A3M ,以满意对高阶人机界面(HMI)体系日益增长的需求 。。全新RZ/A3M MPU装备大容量SDRAM、SRAM以及对RTOS的支撑,助力杂乱使命和实时图形显现的无缝履行 。RZ/A3M可在分辨率高达1280x800的大型液晶显现面板上驱动视频和摄像头输出 ,充沛满意下一代家用电器、工业与作业 。自动化设备。 、医疗保健设备,以及楼宇。控制体系。的显现需求 。
与现有RZ/A3UL相似,RZ/A3M搭载64位 。Arm 。Cortex-A55内核,最高作业频率达1GHz ,片上SRAM容量为128KB(千字节)。经过在单个体系级封装(SiP)中集成高速128MB DDR3L-SDRAM,该产品可消除为衔接外部存储器规划高速 。信号。接口 。的杂乱使命 。
运用内置存储器和简化的。PCB规划 。下降体系本钱 。
RZ/A3M的规划旨在下降体系本钱并加快开发进程。它经过QSPI支撑外部NAND和NOR闪存,用于数据和代码存储 。大容量NAND闪存与驱动程序调配运用,为存储器扩展供给经济高效的挑选。此外,RZ/A3M的BGA封装具有共同的引脚布局。其两个主排坐落外边际,这一布局可简化 。PCB 。布线 ,完成低本钱 、双层印刷电路板规划,明显节约本钱和时刻。内置存储器可以下降布线杂乱性,最大极限地削减布局约束