安森美 。安森(onsemi)的技术UG4SC075005L8S在。AI。优势PSU规划中十分受欢迎,安森有助于完成下一代20 kW体系,技术以立异的优势Combo架构、高能效、安森高可靠性及体系友好性,技术处理了AI范畴大电流 、优势高功率场景的安森核心痛点,为 。技术人工智能。优势硬件的安森高效运转与规模化扩展供给了关键技能支撑 ,具有明显的技术职业改造价值。
SiC Combo JFET UG4SC075005L8S 。优势
技能优势 。
Combo JFET的规划旨在让用户可以别离独立操控。MOSFET 。和SiC JFET的栅极。
超低导通电阻Rds(on) :选用SiC JFET技能,UG4SC075005L8S的导通电阻低至5mOhm,明显下降导通损耗 ,提高能效。
更高的峰值。电流。(IDM):峰值电流关于电路维护运用至关重要,而高IDM的UG4SC075005L8S正是完成这一意图的抱负挑选 。电路维护运用因其特定的工作条件而要求稳健性和大电流穿越才能。
低热阻RθJC:安森美的UG4SC075005L8S选用银烧结裸片贴装技能 ,与大多数焊接资料比较,界面导热功能提高了六倍,从而在更小的裸片尺度下完成相同乃至更低的结至外壳热阻RθJC 。低RθJC有助于坚持较低的结温,并保证更高的可靠性。
速度可控性:电路维护和多路并联运用的抱负挑选 。经过下降关断速度来削减电压过冲 ,可加强电路维护,尤其是短路维护。易于并联 ,超卓地平衡了开关损耗和动态电流平衡之间的功能。
结构简略,运用寿命长,无参数漂移。
栅极驱动。兼容性 :支撑运用老练的硅基晶体管 。驱动器。,无需专用。驱动电路 。 ,简化体系规划 ,加速开发速度